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Intel duplica la capacidad de almacenamiento de memorias Flash

Lunes, 4 de febrero de 2008 Sin comentarios

Si ya estábamos sorprendidos con la integración conseguida en los últimos tiempos en cuanto a almacenamiento en dispositivos pequeños, Intel vuelve a dar una vuelta de rosca más al asunto. Al perecer estan trabajando en una nueva tecnología la cual permite doblar la capacidad de almacenamiento de las actuales memorias Flash. La nueva tecnología en cuestión se llama “memoria de cambio de fase” y sus creadores argumentan que la tecnología no añade ningún coste adicional al proceso de fabricación de las memorias.

Dicha memoria de cambio de fase difiere de otras tecnologías de almacenamiento en estado solido (como flash) en que no usan electrones para almacenar los datos. En vez de ello, dependen de un arreglo de átomos del propio material, conocido como su estado físico. Anteriormente solo existían dos posibles estados: uno donde los átomos estaban organizados de forma pobre (estado amorfo), y otro donde estaban fuertemente estructurados (estado cristalizado). Sin embargo recientemente han descubierto que existen estados intermedios, y estos son los usados para el almacenamiento de datos.

Al igual que Flash, la memoria de cambio de fase es no volátil, lo que quiere decir que no pierde los datos una vez que se deja de proporcionar alimentación a la misma. Pero su fuerte está en que se pueden escribir datos mucho más rápido, a velocidades comparables a las DRAM y SRAM. Incluso se están creando expectativas de que en un futuro puedan reemplazar la funcionalidad de memorias flash y DRAM en un único chip con memoria de intercambio de fase. Habrá que estar atento a nuevas noticias al respecto.

Artículo original.

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Sin internet en gran parte de Asia

Viernes, 1 de febrero de 2008 Sin comentarios

Vía Slashdot me entero de que gran parte de los países del sur de Asia han tenido serias restricciones en el acceso a Internet, llegando en algunos países a superar una perdida del 50% del ancho de banda. Esto ha sido debido a que una línea dorsal que pasa por el Mediterráneo (concretamente entre Italia y Egipto) ha sufrido un fallo y no se sabe con certeza a que ha sido debido.

Este fallo va a durar varios días en ser resuelto y se estiman numerosas perdidas (imaginaros el caos que esto podría ocasionar en cualquier país, sobre todo en países desarrollados).

Estos últimos días no voy a poder publicar las entradas que me gustaría ya que estoy de exámenes y la mayor parte del día estoy estudiando para intentar salir impune de esta prueba a la que me enfrento :P . Sin embargo intentaré comunicaros las noticias más relevantes de las que me vaya enterando.

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Dentro de poco … ¡USB 3.0!

Domingo, 13 de enero de 2008 Sin comentarios

Hace unos días vi en slashdot una noticia sobre el USB 3.0 y no me paré a leerla ya que creí que todavía no estaba tan cerca su llegada al mercado, pero mediante el homólogo en español de esta web (barrapunto) he comprobado sin tener que traducir una parrafada que la salida de la nueva versión de los conectores USB es inminente.

Se espera que las velocidades de conexión lleguen a alcanzar cerca de 5Gbps (unos 625 MBytes por segundo), que viene a ser unas 10 veces la velocidad de la versión anterior. Para ello se añade una serie de nuevos contactos a los ya actuales (preservando estos) para que se mantenga la compatibilidad con USB 2.0.

Se que la noticia queda un poco fuera de los márgenes de contenido de este blog, pero ante avances tecnológicos tan importantes uno no se puede resistir a informar a sus lectores ;) . A continuación os dejo algunas imágenes procedentes de la noticia original para que os vayáis acostumbrando:

 

 

Vía barrapunto.

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