Intel duplica la capacidad de almacenamiento de memorias Flash
Si ya estábamos sorprendidos con la integración conseguida en los últimos tiempos en cuanto a almacenamiento en dispositivos pequeños, Intel vuelve a dar una vuelta de rosca más al asunto. Al perecer estan trabajando en una nueva tecnología la cual permite doblar la capacidad de almacenamiento de las actuales memorias Flash. La nueva tecnología en cuestión se llama “memoria de cambio de fase” y sus creadores argumentan que la tecnología no añade ningún coste adicional al proceso de fabricación de las memorias.
Dicha memoria de cambio de fase difiere de otras tecnologías de almacenamiento en estado solido (como flash) en que no usan electrones para almacenar los datos. En vez de ello, dependen de un arreglo de átomos del propio material, conocido como su estado físico. Anteriormente solo existían dos posibles estados: uno donde los átomos estaban organizados de forma pobre (estado amorfo), y otro donde estaban fuertemente estructurados (estado cristalizado). Sin embargo recientemente han descubierto que existen estados intermedios, y estos son los usados para el almacenamiento de datos.
Al igual que Flash, la memoria de cambio de fase es no volátil, lo que quiere decir que no pierde los datos una vez que se deja de proporcionar alimentación a la misma. Pero su fuerte está en que se pueden escribir datos mucho más rápido, a velocidades comparables a las DRAM y SRAM. Incluso se están creando expectativas de que en un futuro puedan reemplazar la funcionalidad de memorias flash y DRAM en un único chip con memoria de intercambio de fase. Habrá que estar atento a nuevas noticias al respecto.
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